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確定重慶坩堝方法的尺寸和形狀
重慶坩堝尺寸(或體積)的確定取決于晶體生長的直徑和長度,還考慮了中對坩堝和晶體直徑比的要求。一般耗盡與晶體直徑之比為3:1。
原因是它與熔體直接接觸,硅熔體與重慶坩堝的sio:反應生成sio后,擴散到熔體中,同時揮發到熔體表面,z后一部分到達固液界面附近,混入生長中的晶體中,從而提高單晶中的氧含量,渦流與晶體直徑的比值越大,越有利于氧的揮發。
所以在拉制直徑80rn,長度7的硅單晶時。000毫米,我們確定在中渦旋增強的直徑為224毫米,高度為190毫米
根據應時的機械性能,氧化鋁坩堝制造商的川是8004-8500(碳化鎢千克/平方厘米)、710-1040(200千克/平方厘米)、700-1100(200千克/平方厘米)、304-600 (20千克/平方厘米)和抗扭強度。
同時,為了保持單晶生長到底部時耗盡與晶體直徑的原始比值(3:I),并盡量減少坩堝中,的殘留,從而提高單晶的產量和回收率,決定采用平底柑崩。
它的外形尺寸和形狀如如圖I所示,如果使用球底琳A,在保證窮竭與晶體直徑之比(3,333,601)的情況下,窮竭的邊角料會超過平底林,顯然不利于提高單晶的產量和回收率。